LET-6000_半导体器件高温反偏试验系统-力钛科

1、 满足的试验标准

lESD51-1

AEC-Q101

GJB128A

MIL-STD-750

JESD22A-108

JESD22A-101

2、 满足的试验器件类型

二极管

 MOSFET

 IGBT

CMOS

IPM 等功率器件

 各类IGBT 模块

3、试验系统的电气参数及功能

漏电流范围：10nA~1A(HTRB、H3TRB)

漏电流范围：1nA~2mA(HTGB)

试验电压：10V~6000V(HTRB、HTOL)

试验电压：±30V-200V(HTGB、H3TRB)

4、 试验系统的容量及扩展

试验通道：8/16/24、可扩展

MAX 工位数：640/ 1280 /1960

老化板尺寸：280mm×500mm （器件不同会变化）

器件的封装类型：轴向/径向二极管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等，可以根据需要选择

老化板可以支持最新的封装类型，如D-PAK（252）、D2PAK（263）E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。

模块：IGBT 半桥、全桥等

半导体器件的可靠性测试或试验是半导体生命环节的重要部分，是必须完成的一个流程要求。可靠度的定义是产品在规定的时间内，在特定的使用（环境）条件下，执行特定的性能或功能时完成任务的概率（成功概率）或发生故障的概率。也就是说，可靠度是指预期产品销售后，在使用的寿命期间会有多少产品失效，同时也可藉由可靠度的评估去推估在保固时间内会有多少比例的退货产品。而对于功率器件来说，可靠性是指器件在一定时间内、一定条件下无故障的运行的能力，是功率器件最重要的品质特性之一。要满足现代技术和生产的需要，获得更高的经济效益，必须使用高可靠性的产品，这样设计的产品才具有更高的市场竞争力。

LET-6000系列即是针对半导体器件的可靠性要求，满足多种标准的可靠性试验系统。本系统可以完成高温工作寿命HTOL、温湿度H3TRB、高温反偏HTRB和高温栅偏HTGB的可靠性试验工艺过程的试验。


LET-6000 系列的技术规格、系统特点及功能


1、满足的试验标准
 ESD51-1
 AEC-Q101  
 GJB128A  
 MIL-STD-750
 JESD22A-108
 JESD22A-101


 2、满足的试验器件类型
 二极管
 MOSFET
 IGBT
 CMOS
 IPM 等功率器件
 各类IGBT 模块


3、试验系统的电气参数及功能
 漏电流范围：10nA~1A(HTRB、H3TRB)
 漏电流范围：1nA~2mA(HTGB)
 试验电压：10V~6000V(HTRB、HTOL)  
 试验电压：±30V-200V(HTGB、H3TRB)
 接地电阻≦1Ω  

4、试验系统的容量及扩展
 试验通道：8/16/24、可扩展
 MAX 工位数：640/ 1280 /1960
 老化板尺寸：280mm×500mm （器件不同会变化）
 器件的封装类型：轴向/径向二极管、TO-247-3/4、TO-3P、 TO- 220 等，可以根据需要选择
 老化板可以支持最新的封装类型，如 DFN、D-PAK（252）、D2PAK （263）E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。
 模块：IGBT 半桥、全桥等

5、试验系统的其它参数
 供电电源：220V+10%, 50Hz
 主体尺寸：W1500×H1740×D1600（mm）
 主体重量：800KG
 额定功率：20KW
 工作温度：0—40 度

6、产品主要特点：
 试验温度：采用整个温区为有效试验区的设计方式，确保温区在满载 的条件下每个插槽温度的均匀性和稳定性。
 试验电源：采用输出接近式小纹波程控直流试验电源，电源输出速率 可调，且渐近试验电压值，有效避免由于电源输出试验电压过冲而损 伤器件。
 试验电压：无损激励源的偏压方式，试验电路无限流电阻，被测器件 线路无分压，确保器件两端电压恒定不突变，从而确保试验数据的真实。
 试验检测：高边输入端控制通断，可物理开关方式剔除异常器件的偏压源输入，不影响其它器件，避免限流电阻发热碳化或烧毁电路板、避免频繁更换限流电阻，从而降低使用成本；高速数据采集系统，对数据实现准实时监控，确保异常器件能即时被发现和相应处理。
 试验配件：老化板，夹具上无电阻等发热器件，不会烧毁电阻及 PCB  等，降低使用耗材。